欧洲杯体育原土HBM产业会欺压上前发展-开云(中国大陆)kaiyun网页版登录入口

发布日期：2025-09-02 06:23    点击次数：200

智通财经APP获悉，国泰海通发布研报称，HBM(高频宽存储器，High Bandwidth Memory)是将DRAM通过先进封装技艺堆叠而成欧洲杯体育，与GPU整合于消释块芯片上;当今AI工作器是HBM最遑急的阛阓，改日智能驾驶汽车阛阓也会遍及遴荐HBM。我国HBM产业欺压发展，当今能竣事规模量产的是HBM2、HBM2E，有望在2026E/2027E诀别竣事HBM3、HBM3E冲破。天然我国的HBM产业发展较国际龙头公司过期较多，但该行以为奉陪卑鄙Fab、盘算推算公司、配置公司、材料公司的共同长途，原土HBM产业会欺压上前发展，其中中枢之一即是键合堆叠花式的冲破。

国泰海通主要不雅点如下：

SK Hynix为各人HBM龙头

笔据SemiWiki征引Trendforce数据，2023年各人HBM阛阓SK Hynix、Samsung、Micron的市占诀别为55%、41%、3%。SK Hynix 2013年推出各人第一颗TSV通孔的HBM居品，2017/2019/2021年诀别推出HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)，2023年4月完成12层HBM3(24 GB)的功能考据，2023年8月推出业界高性能的第五代8层HBM3E居品，2024年10月12层HBM3E居品(36 GB)启动规模量产。2024年底公司CEO Kwak提到，16层HBM3E居品正在研发中，不错达到48 GB容量。

张开剩余53%

SK Hynix的HBM堆叠工艺从TC-NCF、MR-MUF发展到Advanced MR-MUF

早在2000年前后公司启动开导晶圆级WLP技艺，2009年研发TSV通孔技艺承接多层DRAM晶圆，2013/2016年的HBM/HBM2居品均遴荐TC-NCF技艺，HBM2E(2019年)、8层HBM3(2021年)遴荐MR-MUF技艺，12层HBM3(2023年)、HBM3E(2023年)遴荐Advanced MR-MUF技艺，研发的16层HBM3E居品也会遴荐Advanced MR -MUF技艺进行规模量产，同期对搀杂键合(hybrid bonding)技艺进行工艺的技艺考据。

Samsung和SK Hynix王人有我方的HBM供应链

①、Samsung的产线配置主淌若日本的Toray、Sinkawa，和韩国SEMES;②、SK Hynix主淌若HANMI Semiconductor、ASMPT、Hanhwa Precision Machinery。当今，HANMI Semiconductor约略占据各人TC Bonder阛阓规模65%的份额，而在HBM3E的TC Bonder规模则险些占据90%独揽的份额。SEMES的TC Bonder非常擅长TC-NCF工艺规模;HANMI Semiconductor则是从2017年启动和SK Hynix共同开导TC Bonder用于MR-MUF工艺，但同期也兼容TC-NCF工艺。

风险教导：技艺研发经由慢无法竣事关键冲破、卑鄙需求放缓等。

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发布于：北京市